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加工定制： 是 品牌： Vishay/威世通 型号： US1B 应用范围： 功率 材料： 硅(Si) 极性： NPN型 集电极较大允许电流ICM： 1（A） 集电极较大耗散功率PCM： 1（W） 截止频率fT： 1（MHz） 结构： 点接触型 封装形式： 贴片型 封装材料： 树脂封装 产品类型： 其他 RS1A RS1B RS1D RS1G RS1J RS1K RS1M RS2A RS2B RS2D RS2G RS2J RS2K RS2M RS2AA-13-F RS2BA-13-F RS2DA-13-F RS2GA-13-F RS2JA-13-F RS2KA-13-F RS2MA-13-F RS3A RS3B RS3D RS3G RS3J RS3K RS3M RS3AB-13-F RS3BB-13-F RS3DB-13-F RS3GB-13-F RS3JB-13-F RS3KB-13-F RS3MB-13-F S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M S1AB-13-F S1BB-13-F S1DB-13-F S1BG-13-F S1JB-13-F S1KB-13-F S1MB-13-F S2A S2B S2G S2K S2M S2AA-13-F S2BA-13-F S2DA-13-F S2GA-13-F S2JA-13-F S2KA-13-F S2MA-13-F S3A S3B S3D S3G S3J S3K S3M S3AB-13-F S3BB-13-F S3DB-13-F S3GB-13-F S3JB-13-F S3KB-13-F S3MB-13-F US1A-13-F US1B-13-F US1D-13-F US1G-13-F US1J-13-F US1K-13-F US1M-13-F US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M US2A-13-F US2B-13-F US2D-13-F US2G-13-F US2J-13-F US2K-13-F US2M-13-F US2A US2B US2D US2G US2J US2K US2M US3A-13-F US3B-13-F US2D-13-F US3G-13-F US3J-13-F US3K-13-F US3M-13-F US3A US3B US3D US3G US3J US3K US3M RS1A  表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-1.0A
RS2A  表面贴装快速开关整流器
RS3A  表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-3.0A
S1A   表面贴装整流器,电压-50至1000V,电流-1.0A
S2A   表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-2.0A
S3A   表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-3.0A
US1D  表面装贴**快整流器,电压-50至800V,电流-1.0A
US2D  表面装贴**快整流器,电压50至1000V,电流2.0A
US3D  表面装贴**快整流器,电压50至400V,电流3.0A
SMAJ100A  400W,瞬变抑制二极管
SMBJ100A  600W,瞬变抑制二极管
SMCJ100A  1500W,瞬变抑制二极管
SS12  肖特基整流器20-100V,1A
SS22  肖特基整流器
1SMA5913BT3G 表面贴装稳压二极管,-3.3-68V,1.5W-安森美半导体
1SMA10AT3G  功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-78V,400W-安森美半导体
1SMB5918BT3G 表面贴装稳压二极管,3.3-200V,3W-安森美半导体
1SMB10AT3G  功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-170V,600W-安森美半导体
1SMB10CAT3 功率稳压管瞬态电压抑制器,10-78V,600W-安森美半导体
1SMC10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-78,1500W-安森美半导体
1.5SMC6.8AT3 功率稳压管瞬态电压抑制器单向5.8-78,1500W-安森美半导体
MURA115T3G **高速整流器1A，输入电压100-200V-安森美半导体
MURS105T3G **高速整流器1A，输入电压50-600V-安森美半导体
P6SMB100AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-171V,600W-安森美半导体
P4SMA100A 400W,表面贴装瞬态电压抑制器
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