供应正品 STB11NB40T4 场效应管 MOS管 IBGT

品牌：ST/意法 型号：STB11NB40T4 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 用途：L/功率放大 封装外形：SMD(SO)/表面封装 材料：N-FET硅N沟道 开启电压：1（V） 夹断电压：1（V） 跨导：1（μS） 较间电容：1（pF） 低频噪声系数：1（dB） 较大漏较电流：1（mA） 较大耗散功率：1（mW） 类型：其他IC STB40NE03L-20T4 STB7NK40Z STB70NFS03 STB1132Y STB6NC60T4 STB55NF06LT4 STB40NF10T4 STB60NH02LT4 STB100NH02LT4 STB100NF04-1 STB36NF03LT4 STB40NF03L STB70NF03 STB70NF3LLT4 STB75NE75 STB7NK40Z STB40NF10T4 STB60NH02LT4 STB100NH02LT4 STB36NF03LT4 STB40NE03L-20T4 STB55NF06L STB55NF06T4 STB70NF03L STB40NF10T4 STB100NH02LT4 STB80NF10 STB35NF10 STB60NH02LT4 STB100NH02LT4 STB11NK40ZT4 STB120NF10 STB16NB25 STB22NE10LT4 STB22NF10LT4 STB3NC60 STB4NC60T4 STB6NK60T4 STB7NB40T4 STB9NK70ZT4 STB55NF06T4 STB70NF03 STB11NM50T4 STB210NF02T4 STB3015L STB40N03L-20T4 STB40NE03L-20 STB45N10L STB55NF03L STB5NK50ZT4 STB60N06 STB60NF03L STB70NF02LT4 STB7NB60 STB1132Y STB35NF10 STB6NC60T4 STB70NF03L STB70NF3LLT4 STB1188-Y STB11NB40 STB11NK50ZT4 RD47P-T1 RD43P RD47P-T1 RD4.3P-T1 RD43P-T1 RD4.7P-T1 RD47P-T1 WP92927L2 WP92927L6 WP92856L1 STB36NF02LT4 STB36NF06LT4 STB60N03 STB40NF03L STB75NE75 STB100NH02LT4 STB19NB20 STB3020L STB50NE10 STB7NK40ZT4 STB8NA50 STB55NF06L STB40NF10T4 STB60NH02LT4 2SC3356 2SC3618-T1 2SC4821E-AY 2SC2757-T1B 2SC2954 2SC3076 2SC3420-BL 2SC3420-GR 2SC3651 2SC4003E-TL 2SC4256 2SC4703SE 2SC5053 2SC5134 2SC5368 2SC1623 2SC3356-T1B 2SC3646T-TD 2SC4821 2SC5707-TL 2SC5785 2SC5886 2SC3356-T1 2SC3357 2SC3647S-TD 2SC4672-Q 2SC2873-Y 2SC3588-Z-E1 2SC2258 2SC2412K 2SC2458-BL 2SC2502 2SC2611 2SC2712-Y 2SC2780 2SC2873-O 2SC2881 2SC2881-Y 2SC2982 2SC3074 2SC3268 2SC3326-B 2SC3380ASTL 2SC3421-Y 2SC3607 2SC3632 2SC3647 2SC3953 2SC4116-Y STB11NK40ZT4 功率MOSFET,400V,N沟道,0.49Ω,9A
型号：
STB11NK40
STB11NK40Z
STB11NK40ZT4
STP11NK40Z
STP11NK40ZFP
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-220,TO-220F
批号：10+
供应数量:50000PCS
较小包装:1000/盘,管装
产品特点:
Type         VDSS  RDS(on) ID   Pw
STB11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40ZFP 400V  <0.55Ω 10A  30W
1.较高的dv/dt的能力
2.100％雪崩测试
3.天关电荷减少
4.非常低的固有电容
5.制造业重复性非常好
Description
The SuperMESH? series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerMESH? layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Applications
1.Switching application
STB11NB40T4 N沟道400V,0.48ohm,10.7A,PowerMESH MOSFET,意法半导体
型号：
STB11NB40
STB11NB40T4
STB11NB40-1
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-262
批号：10+
供应数量:50000PCS
较小包装:1000/盘,管装
产品特点:
Type         VDSS   RDS(on)  ID
STB11NB40   400 V  <0.55Ω  10.7 A   D2PAK
STB11NB40-1 400 V  <0.55Ω  10.7 A   I2PAK
1.典型的RDS（on）=0.48Ω
2.较高的dv/dt的能力
3.100％雪崩测试
4.非常低的固有电容
5.尽量减少栅较电荷
应用
1.大电流，高开关速度
2.开关模式电源（SMPS）
3.直流,交流电转换器焊接设备和不间断电源和电机驱动
 offer详细描述：3